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J-GLOBAL ID：200903038150480526
2次元量子デバイス構造
Inventor：
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Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
若林 忠
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1992346308
Publication number (International publication number)：1994112122
Application date： Dec. 25, 1992
Publication date： Apr. 22, 1994
Summary：
【要約】【目的】 結晶欠陥の発生や不純物の混入がなく、十分な量子閉じ込め効果を生ずる寸法、形状に細線形成が可能であり、また量子細線の高密度配列が可能であり、原子拡散に伴う影響を受けない再現性の良い半導体結晶製造方法。【構成】 先ず{111}または{110}面から0.5〜15度傾斜した半導体基板上に回折格子を形成し、その回折格子上にMBE法、またはGSMBE法により半導体結晶を成長させる。
Claim (excerpt)：
第1の周期構造を形成してなる半導体基板上に、第1の周期構造と位相がずれた第2の周期構造を少なくとも一層以上含んで成ることを特徴とした半導体装置。
IPC (4)：
H01L 21/20
, H01L 21/203
, H01L 29/804
, H01S 3/18
Cited by examiner (7)
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