量子ドット型光半導体装置及びその製造方法

Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：岡本啓三
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2006048366
Publication number (International publication number)：2007227744
Application date： Feb. 24, 2006
Publication date： Sep. 06, 2007
Summary：

【課題】検出可能な赤外線の帯域が広い量子ドット型光半導体装置及びその製造方法を提供することである。【解決手段】GaAs半導体基板51の上に、バッファ層52、下部電極層53、第1の赤外線吸収層54a、第2の赤外線吸収層54b及び上部電極層55を形成する。第1及び第2の赤外線吸収層54a,54bはいずれも量子ドットと、量子ドットを覆うキャップ層と、量子ドットにより導入された歪みを回復させる中間層とを複数積層して形成されている。第1及び第2の赤外線吸収層54a,54bの量子ドットはいずれもInAsにより形成されており、中間層はいずれもAl0.5Ga0.5Asにより形成されている。また、第1の赤外線吸収層54aのキャップ層はAl0.15Ga0.85Asにより形成され、第2の赤外線吸収層54bのキャップ層はAl0.2Ga0.8Asにより形成されている。【選択図】図4

Claim (excerpt)：

半導体基板と、第1の量子ドットと、該第1の量子ドットを被覆してキャリアを閉じ込める第1のキャップ層と、該第1のキャップ層の上に形成されて前記第1の量子ドットにより導入された歪みを回復させる第1の中間層とにより構成され、前記第1の半導体基板上に配置された第1の量子ドット層と、第2の量子ドットと、該第2の量子ドットを被覆してキャリアを閉じ込める第2のキャップ層と、該第2のキャップ層の上に形成されて前記第2の量子ドットにより導入された歪みを回復させる第2の中間層とにより構成され、前記第1の量子ドット層の上に配置された第2の量子ドット層とを有し、前記第1及び第2の量子ドットは同一の材料により形成され、前記第1及び第2のキャップ層は相互に異なる材料により形成され、前記第1及び第2の中間層は同一の材料により形成されていることを特徴とする量子ドット型光半導体装置。

IPC (1)：

H01L 31/10

FI (1)：

H01L31/10 A

F-Term (10)：

5F049MA20 , 5F049MB07 , 5F049NA10 , 5F049NA11 , 5F049PA04 , 5F049PA14 , 5F049PA18 , 5F049PA20 , 5F049SS04 , 5F049WA01

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (2)

赤外受光素子
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平8-215601 Applicant：横河電機株式会社
量子光半導体装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2002-273178 Applicant：富士通株式会社

Cited by examiner (1)

赤外線センサ
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平9-051221 Applicant：富士通株式会社

Article cited by the Patent：

Cited by examiner (2)

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