フッ素置換イリジウム錯体の製造方法

Inventor： , ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：須田正義
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2002067918
Publication number (International publication number)：2003113190
Application date： Mar. 13, 2002
Publication date： Apr. 18, 2003
Summary：

【要約】【課題】発光効率が高く、耐久性に優れたフッ素置換イリジウム錯体を効率よく製造し得る。【解決手段】窒素原子から数えて1,6,7又は12位を除く位置に1つだけフッ素が置換されたフッ素置換2-フェニルピリジンとイリジウム(III)アセチルアセトネートとを反応させ、フッ素置換イリジウム錯体を形成させる方法である。その特徴ある構成は、フッ素置換2-フェニルピリジンがフッ素置換ハロゲン化ベンゼンを金属マグネシウムと反応させることにより得られる有機金属化合物と2-ハロゲン化ピリジンとを反応させることにより合成されるとき、フッ素置換2-フェニルピリジンの合成反応に用いられる溶媒がテトラヒドロフランである。

Claim (excerpt)：

次の式(1)に示される窒素原子から数えて1,6,7又は12位を除く位置に1つだけフッ素が置換されたフッ素置換2-フェニルピリジンとイリジウム(III)アセチルアセトネートとを反応させ、次の式(2)に示されるフッ素置換イリジウム錯体を形成させるフッ素置換イリジウム錯体の製造方法において、前記フッ素置換2-フェニルピリジンが次の式(3)で示されるフッ素置換ハロゲン化ベンゼンを有機リチウム化合物と反応させた後、塩化亜鉛(II)と反応させることにより得られる次の式(4)で示されるフッ素置換塩化亜鉛ベンゼンと次の式(5)で示される2-ハロゲン化ピリジンとを反応させることにより合成されるとき、前記フッ素置換2-フェニルピリジンの合成反応に用いられる溶媒がテトラヒドロフランであることを特徴とするフッ素置換イリジウム錯体の製造方法。【化1】但し、整数m及びnの関係がm+n=1であって、0≦m≦1かつ0≦n≦1である。【化2】但し、整数m及びnの関係がm+n=1であって、0≦m≦1かつ0≦n≦1である。【化3】但し、XはCl、Br又はI元素である。【化4】【化5】但し、X’はCl、Br又はI元素である。

IPC (3)：

C07F 15/00 , C07D213/26 , C07D213/61

FI (3)：

C07F 15/00 E , C07D213/26 , C07D213/61

F-Term (16)：

4C055AA01 , 4C055BA02 , 4C055BA03 , 4C055BA08 , 4C055BA13 , 4C055BA39 , 4C055BB14 , 4C055CA01 , 4C055CA02 , 4C055CA39 , 4C055DA01 , 4C055DA39 , 4C055FA03 , 4C055FA37 , 4C055GA02 , 4H050AA02

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (3)

特開昭64-083066
発光素子及びイリジウム錯体
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2001-189539 Applicant：富士写真フイルム株式会社
発光素子、表示装置及び発光素子用金属配位化合物
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2001-284599 Applicant：キヤノン株式会社

Article cited by the Patent：

Cited by examiner (1)

A New Synthetic Route to the Preparation of a Series of Strong Photoreducing Agents: fac-Tris-Ortho-

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