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J-GLOBAL ID：200903038159612700

半導体センサ

Inventor： 新保 徳夫 ,  坂井 一則 ,  五十嵐 和夫 ,  菊地 誠一 ,  中原 剛
Applicant, Patent owner： 日本精機株式会社
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1994085697
Publication number (International publication number)：1995273351
Application date： Mar. 30, 1994
Publication date： Oct. 20, 1995
Summary：

【要約】【目的】 シリコン基板と接合部材との接合強度を高めながら、ピエゾ抵抗の出力を精度良く伝えることができる半導体センサを提供すること。【構成】 シリコン基板1に抵抗値変化により外力を検出するピエゾ抵抗6を設ける。シリコン基板1の表面にピエゾ抵抗6を覆う安定化膜13,保護膜14からなる絶縁層を形成する。保護膜14の表面に凹溝状の窪み部16をエッチングによりパターン形成する。窪み部16にコンタクトホール12を介してピエゾ抵抗6と導通する配線電極10を埋設して上ストッパ7(接合部材)との接合領域Sを含む保護膜14の表面を略平坦に形成する。

Claim (excerpt)：

ピエゾ抵抗を設けたシリコン基板の表面に絶縁層を形成し、この絶縁層の表面にピエゾ抵抗と導通する配線電極を形成し、この配線電極を含む前記絶縁層表面を介して前記シリコン基板にガラスからなる接合部材を陽極接合により固着してなり、前記ピエゾ抵抗の抵抗値変化により外力を検出する半導体センサにおいて、少なくとも前記接合部材と接合される前記絶縁層の接合領域に前記配線電極に対応する窪み部を形成し、この窪み部に前記配線電極を埋設したことを特徴とする半導体センサ。

IPC (3)：

H01L 29/84 ,  G01P 15/12 ,  H01L 21/306