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J-GLOBAL ID:200903038164579495

半導体薄膜の製造方法

Inventor:
Applicant, Patent owner:
Agent (1): 内原 晋
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):1991281419
Publication number (International publication number):1993121350
Application date: Oct. 28, 1991
Publication date: May. 18, 1993
Summary:
【要約】 (修正有)【目的】レーザアニール時に、被アニール層を透過するレーザによる支持基体材料の加熱を防ぐ。【構成】支持基体102材料上にレーザの遮蔽層104及び低熱伝導層を形成することによって、レーザによる基板の直接加熱及び間接加熱を防ぎ、支持基体102の破損、不純物の拡散を促進することなく任意のエネルギー密度によるレーザアニールを実現する。
Claim (excerpt):
レーザ照射工程を有する半導体薄膜製造方法において、支持基体上に前記レーザの透過成分を減少させ得る遮蔽層を予め形成し、前記遮蔽層上に形成した半導体薄膜をレーザアニールすることを特徴とする半導体薄膜製造方法。
IPC (4):
H01L 21/268 ,  H01L 21/20 ,  H01L 21/336 ,  H01L 29/784
Patent cited by the Patent:
Cited by examiner (5)
  • 特開昭62-291908
  • 特開平2-130913
  • 特開昭57-145317
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