Pat

J-GLOBAL ID：200903038165295490

エレクトレット及びその形成方法及び静電リレー

Inventor： 一矢 光雄 ,  中邑 卓郎 ,  友成 恵昭 ,  笠野 文宏 ,  ジャッキー レヴィナー ,  ディディエール ペリノ
Applicant, Patent owner： 松下電工株式会社 ,  ジャッキー レヴィナー ,  ディディエール ペリノ
Agent (1)： 石田 長七 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1995100836
Publication number (International publication number)：1996298794
Application date： Apr. 25, 1995
Publication date： Nov. 12, 1996
Summary：

【要約】【目的】高い融点を有し、微細加工が可能で且つ薄膜化が容易な半導体製造プロセスに導入できるエレクトレットを提供することを目的とする。【構成】SiO2 膜1は価電子帯2、禁制帯3、伝導帯4のバンド構造を持っており、禁制帯3の領域内の深い電子エネルギー準位に電荷5を保持させる準位を持ち、エレクトレットを構成する。

Claim (excerpt)：

禁制帯内の電子エネルギー準位に電荷を保持させたシリコン系無機薄膜から成ることを特徴としたエレクトレット。

IPC (9)：

H02N 2/00 ,  C01B 33/12 ,  C30B 29/16 ,  C30B 31/22 ,  H01H 59/00 ,  H01G 7/02 ,  H01L 21/263 ,  H01L 21/31 ,  H01L 21/316

FI (9)：

H02N 2/00 Z ,  C01B 33/12 Z ,  C30B 29/16 ,  C30B 31/22 ,  H01H 59/00 ,  H01G 7/02 A ,  H01L 21/263 ,  H01L 21/31 C ,  H01L 21/316 X