性能が改良された誘電体を形成する方法

Inventor： ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：本城雅則 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1995275125
Publication number (International publication number)：1996116059
Application date： Sep. 29, 1995
Publication date： May. 07, 1996
Summary：

【要約】【課題】本発明は、デバイスの電流ドライブを上昇させる誘電体を作るために、製造可能で制御可能な方法を明かにする。【解決手段】窒素含有環境を用いて、基板10の表面を酸化して窒素含有誘電体12を形成する。ついで、フッ素含有種(F)が、前記窒素含有誘電体の上に載る形で、(注入によるのが望ましい)ゲート電極20内に導入される。フッ素はついで、下に位置する窒素含有誘電体内に導入される。フッ化窒素含有領域14’は、誘電体12’と基板10との間の接合面のところに形成されることが予想される。フッ素と窒素との間の相互作用は、誘電体にとって、ピーク相互コンダクタンスと、高い電界における相互コンダクタンスとを上昇させる。そのため、全体の電流ドライブはこの方式によって上昇される。

Claim (excerpt)：

誘電体を作る方法であって:表面部分を有する基板(10)を設ける段階;窒素含有酸化体を用いて前記基板の表面部分を酸化して、窒素含有誘電体(12)を形成する段階;前記窒素含有誘電体の上に載る形で、ゲート電極(18)を形成する段階;フッ素(F)を前記ゲート電極に注入してフッ化ゲート電極(20)を形成する段階;および前記フッ化ゲート電極をアニールして、前記フッ素を前記窒素含有誘電体に導入して、フッ化窒素含有誘電体(12’)を形成する段階;によって構成されることを特徴とする方法。

IPC (7)：

H01L 29/78 , H01L 21/318 , H01L 21/324 , H01L 21/336 , H01L 21/8247 , H01L 29/788 , H01L 29/792

FI (3)：

H01L 29/78 301 G , H01L 29/78 301 P , H01L 29/78 371

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (5)

特開平3-265172
MOS型電界効果トランジスタの製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平4-064320 Applicant：日本電気株式会社
特開平3-198337

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