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J-GLOBAL ID：200903038189470676

太陽電池の製造方法

Inventor：
舩越 康志

About 舩越 康志


Applicant, Patent owner：
シャープ株式会社

About シャープ株式会社


Agent (7)： 深見 久郎 ,  森田 俊雄 ,  仲村 義平 ,  堀井 豊 ,  野田 久登 ,  酒井 將行 ,  荒川 伸夫
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2007155336
Publication number (International publication number)：2008311291
Application date： Jun. 12, 2007
Publication date： Dec. 25, 2008
Summary：
【課題】太陽電池に用いられるシリコン基板を改質し、シリコン基板における少数キャリアのライフタイムを向上することで、太陽電池の高い特性、特に高いJscを得ることができる太陽電池の製造方法を提供する。【解決手段】シリコン基板の少なくとも片面に屈折率が2.4以上3.2以下の窒化シリコン膜を形成する第1工程と、窒化シリコン膜が形成されたシリコン基板をアニール処理する第2工程とを含む太陽電池の製造方法に関する。【選択図】図6
Claim (excerpt)：
シリコン基板の少なくとも片面に屈折率が2.4以上3.2以下の窒化シリコン膜を形成する第1工程と、 前記窒化シリコン膜が形成された前記シリコン基板をアニール処理する第2工程と、を含む太陽電池の製造方法。
IPC (1)：
H01L 31/04
FI (2)：
H01L31/04 H ,  H01L31/04 F
F-Term (8)：
5F051AA02 ,  5F051AA03 ,  5F051BA14 ,  5F051CB12 ,  5F051CB20 ,  5F051GA04 ,  5F051GA15 ,  5F051HA03
Patent cited by the Patent：
Cited by applicant (2) Cited by examiner (3)
  • 光電変換素子
    Gazette classification：公開公報   Application number：特願2003-180029   Applicant：トヨタ自動車株式会社
  • 太陽電池及びその製造方法
    Gazette classification：公開公報   Application number：特願2003-131797   Applicant：信越半導体株式会社, 信越化学工業株式会社, 北陸先端科学技術大学院大学長
  • 太陽電池および太陽電池の製造方法
    Gazette classification：公開公報   Application number：特願2004-312140   Applicant：シャープ株式会社

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