Pat
J-GLOBAL ID:200903038199422785
有機発光ダイオードの製造方法
Inventor:
Applicant, Patent owner:
Agent (1):
志賀 正武 (外7名)
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):2001124965
Publication number (International publication number):2002151259
Application date: Apr. 23, 2001
Publication date: May. 24, 2002
Summary:
【要約】【課題】 ヘテロ接合をあいまい化(非急峻化)して、電子と正孔との発光再結合効率を高め、有機発光ダイオードの物理的特性および電気特性を改善する。【解決手段】 基板上に陽極と有機発光層と陰極とを蒸着またはスパッタリングなどで順番に形成するものであって、陽極と有機発光層との界面(ヘテロ接合)を形成する時、陽極の基板への成膜速度を徐々に低下させると同時に、有機発光層の基板への成膜速度を徐々に高め、有機発光層と陰極との界面(ヘテロ接合)を形成する時には、有機発光層の基板への成膜速度を徐々に低下させるとともに、陰極の基板に対する成膜速度を次第に高めて、陽極と有機発光層と陰極との各層間に傾斜濃度分布を実現し、各層間のヘテロ接合をあいまい化することで、ヘテロ接合をあいまい化した有機発光ダイオードを形成する。
Claim (excerpt):
少なくとも、基板を提供するステップと、前記基板を固定して水平方向に移動する固定手段、および前記固定手段の移動経路上に順番に配列される陽極成膜材料源と有機発光層成膜材料源と陰極成膜材料源とを含む複数個の成膜材料源を提供するステップと、前記固定手段により、前記基板を前記陽極成膜材料源の上方に移動させて陽極を形成するステップと、前記陽極成膜材料源が陽極を完全に形成する前に、前記基板を前記有機発光層成膜材料源の上方へ徐々に移動させて有機発光層を形成するステップと、前記有機発光層成膜材料源が前記有機発光層を完全に形成する前に、前記基板を前記陰極成膜材料源の上方へ徐々に移動させて陰極を形成するとともに、前記陽極および前記有機発光層ならびに前記陰極間のヘテロ接合をあいまい化するステップとを具備する有機発光ダイオードの製造方法。
IPC (5):
H05B 33/10
, C23C 14/34
, H01L 33/00
, H05B 33/14
, H05B 33/22
FI (5):
H05B 33/10
, C23C 14/34 N
, H01L 33/00 A
, H05B 33/14 B
, H05B 33/22 B
F-Term (22):
3K007AB05
, 3K007AB11
, 3K007AB15
, 3K007AB18
, 3K007CA01
, 3K007CA05
, 3K007CB01
, 3K007DA01
, 3K007DB03
, 3K007EB00
, 3K007FA01
, 4K029AA09
, 4K029BA62
, 4K029BB02
, 4K029BC07
, 4K029BD00
, 4K029CA05
, 5F041AA03
, 5F041CA45
, 5F041CA87
, 5F041CA88
, 5F041CA98
Patent cited by the Patent:
Cited by applicant (6)
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Cited by examiner (18)
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特開平4-357694
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特開平4-131369
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特開平1-096369
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特開平3-114197
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特開平3-274695
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特開平4-133286
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特開平4-357694
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特開平4-357694
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特開平4-131369
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特開平4-131369
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特開平1-096369
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特開平1-096369
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特開平3-114197
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特開平3-274695
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特開平4-133286
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