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J-GLOBAL ID：200903038201937402

磁気抵抗効果膜、それを用いたメモリー素子、及びこれらの製造方法

Inventor： 太屋岡 篤憲 ,  山崎 二郎 ,  藤本 辰雄
Applicant, Patent owner： 新日本製鐵株式会社
Agent (1)： 國分 孝悦
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1997102744
Publication number (International publication number)：1998283618
Application date： Apr. 04, 1997
Publication date： Oct. 23, 1998
Summary：

【要約】【課題】 大きさや分布が一様且つ制御可能な微小の磁気抵抗多層膜を備えてなる磁気抵抗効果膜、それを用いたメモリー素子及びそれらの製造方法を提供する。【解決手段】 多孔質アルマイト膜(金属アルミニウム基板)11の微細孔13中に、強磁性層と非磁性層とが交互に積層した構造を有する磁気抵抗多層膜16が充填されて磁気抵抗効果膜が構成され、更にその上部に情報読み出し用電気導線23と情報記録用電気導線22とが設けられてメモリー素子が構成される。

Claim (excerpt)：

アルミニウムあるいはアルミニウム合金表面上に形成された多孔質アルマイト膜の微細孔中に磁気抵抗多層膜が充填され、且つ前記磁気抵抗多層膜が厚さ5Å〜100Åの強磁性層と、厚さ5Å〜300Åの非磁性層とが交互に積層した構造を有していることを特徴とする磁気抵抗効果膜。

IPC (4)：

G11B 5/39 ,  G11C 11/15 ,  H01F 10/26 ,  H01L 43/08

FI (4)：

G11B 5/39 ,  G11C 11/15 ,  H01F 10/26 ,  H01L 43/08 Z