半導体記憶装置およびその記憶情報読出方法

Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：稲岡耕作 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1991272726
Publication number (International publication number)：1993110113
Application date： Oct. 21, 1991
Publication date： Apr. 30, 1993
Summary：

【要約】【構成】制御ゲート20およびドレイン領域14に正の高電圧を印加するとともに、ソース領域13を接地すると、ドレイン領域14の境界部でホットエレクトロンが発生する。このホットエレクトロンは、トンネル酸化膜17を通過して浮遊ゲート18に注入される。これにより、情報の書込が達成される。情報の読出時には、ドレイン領域14を接地するとともに、ソース領域13に正の読出電圧を与え、制御ゲート20には所定のセンス電圧を印加する。このとき、浮遊ゲート18にエレクトロンが蓄積されていればソース・ドレイン間は遮断状態に保たれ、エレクトロンが蓄積されていなければソース・ドレイン間が導通する。【効果】読出時にドレイン領域14の境界部でホットエレクトロンが発生することがないので、いわゆるソフトライトを有効に防止できる。

Claim (excerpt)：

半導体基板にチャネル領域を挟んで形成したソース領域およびドレイン領域と、上記チャネル領域の上部に電気的に絶縁状態で設けられた浮遊ゲートと、この浮遊ゲート上に設けられた制御ゲートとを有するトランジスタをメモリセルに用い、上記ソース領域、ドレイン領域および制御ゲートに各所定の電圧を印加して、上記ドレイン領域とチャネル領域との境界で生じたホットエレクトロンまたはホットホールを上記浮遊ゲートに注入させることにより情報の書込を行うようにした半導体記憶装置において、情報の読出時に、ソース領域とドレイン領域との間に印加する電圧の極性を書込時とは反転するとともに、制御ゲートに所定のセンス電圧を印加する手段と、上記読出時に、上記トランジスタが導通するか否かを監視する手段とを含むことを特徴とする半導体記憶装置。

IPC (3)：

H01L 29/788 , H01L 29/792 , G11C 11/413

FI (2)：

H01L 29/78 371 , G11C 11/34 341

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (3)

特開昭60-182174
特開平2-002162
特開昭61-166176

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