Pat
J-GLOBAL ID：200903038210751672
ヘテロ接合バイポーラトランジスタ集積回路装置およびその製造方法
Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
小鍜治 明 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1992165846
Publication number (International publication number)：1994013552
Application date： Jun. 24, 1992
Publication date： Jan. 21, 1994
Summary：
【要約】【目的】 ヘテロ接合バイポーラトランジスタを能動素子とし、これと容量等の受動素子とを組み合わせた集積回路装置およびその製造方法に関するもので、工程数を増加させることなく容量を積層型として形成でき、大きな容量であってもその面積を従来に比べ約半分以下とし、もって大幅なコスト低減を可能とする。【構成】 基板1上に、コレクタ層3とベース層4と少なくとも前記ベース層4よりも禁制帯幅の広い材料からなるエミッタ層5との少なくとも3層を積層した多層膜構造材料と、ヘテロ接合バイポーラトランジスタのコレクタ電極11と同時に形成され同一の金属からなるコレクタ電極金属11aと、対向電極として前記コレクタ電極金属11aを含む積層型容量とを有する。
Claim (excerpt)：
少なくともエミッタ層がベース層よりも禁制帯幅の広い材料からなるヘテロ接合バイポーラトランジスタと、複数の対向電極からなる容量とを少なくとも有する集積回路装置において、前記複数の対向電極に前記ヘテロ接合バイポーラトランジスタの電極金属からなる前記対向電極が含まれていることを特徴としたヘテロ接合バイポーラトランジスタ集積回路装置。
IPC (3)：
H01L 27/06
, H01L 21/331
, H01L 29/73
H01L 27/06 101 D
, H01L 29/72
