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J-GLOBAL ID：200903038215828509

SiO2被膜の形成方法

Inventor： 佐藤 功 ,  萩原 嘉男
Applicant, Patent owner： 東京応化工業株式会社
Agent (1)： 阿形 明 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1997120685
Publication number (International publication number)：1998313002
Application date： May. 12, 1997
Publication date： Nov. 24, 1998
Summary：

【要約】【課題】 クラック限界の高いSiO2被膜を、塗布法によりソース層及びドレイン層の過度の拡散が起こらないように効率よく形成させる方法を提供する。【解決手段】 基板上に500°C以上の融点をもつ材料から成る配線層を設け、次いでその上にトリアルコキシシランの酸加水分解生成物を含有する有機溶剤溶液からなる塗布液を塗布、乾燥したのち、550〜800°Cの範囲の温度で、塗膜中にSi-H結合が認められなくなるまで焼成することにより、SiO2被膜を形成させる。

Claim (excerpt)：

基板上に500°C以上の融点をもつ材料から成る配線層を設け、次いでその上にトリアルコキシシランの酸加水分解生成物を含有する有機溶剤溶液からなる塗布液を塗布、乾燥したのち、550〜800°Cの範囲の温度で、塗膜中にSi-H結合が認められなくなるまで焼成することを特徴とするSiO2被膜の形成方法。

IPC (2)：

H01L 21/316 ,  H01L 21/768

FI (2)：

H01L 21/316 G ,  H01L 21/90 K