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J-GLOBAL ID：200903038222761541

結晶成長方法およびMOS型トランジスタのチャネル形成方法

Inventor： 塚本 弘範
Applicant, Patent owner： ソニー株式会社
Agent (1)： 船橋 國則
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1993147042
Publication number (International publication number)：1994333827
Application date： May. 25, 1993
Publication date： Dec. 02, 1994
Summary：

【要約】【目的】 本発明は、レーザ光照射による溶融温度の相違を利用して形成した再結晶領域における結晶粒の平坦性の向上を図り、その領域にMOS型トランジスタのチャネル領域を形成することで、トランジスタ特性の向上を図る。【構成】 結晶成長方法は、固相成長法によって、基板11上に形成した非結晶半導体層12に結晶を成長させて多結晶半導体層13を形成し、次いで多結晶半導体層13の所定の領域上にイオン注入マスク14を形成した後、そのイオン注入マスク14を用いたイオン注入法によって、多結晶半導体層13に不純物を導入して非結晶領域16を形成し、その後少なくとも非結晶領域16にレーザ光17を照射して非結晶領域16を溶融し、そして再結晶化して再結晶領域18を形成する。また上記結晶成長方法を用いて形成した再結晶領域18にMOS型トランジスタのチャネル領域(図示せず)を配置する。

Claim (excerpt)：

固相成長法によって、基板上に形成した非結晶半導体層に結晶を成長させて多結晶半導体層を形成する第1の工程と、前記多結晶半導体層の所定の領域上にイオン注入マスクを形成した後、当該イオン注入マスクを用いたイオン注入法によって、当該多結晶半導体層に不純物を導入して非結晶領域を形成する第2の工程と、少なくとも前記非結晶領域にレーザ光を照射して当該非結晶領域を溶融した後、再結晶化して再結晶領域を形成する第3の工程とを行うことを特徴とする結晶成長方法。

IPC (3)：

H01L 21/20 ,  H01L 21/336 ,  H01L 29/784