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J-GLOBAL ID：200903038223703812

窒化アルミニウムの製造方法および半導体発光素子

Inventor： 木戸口 勲 ,  足立 秀人 ,  田中 清武 ,  熊渕 康仁
Applicant, Patent owner： 松下電器産業株式会社
Agent (1)： 滝本 智之 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1996089215
Publication number (International publication number)：1997194204
Application date： Apr. 11, 1996
Publication date： Jul. 29, 1997
Summary：

【要約】【課題】 低温で高純度の窒化アルミニウム膜を製造する方法を提供する。【解決手段】 ECR装置に、5Nの金属Al104をセットし、窒素ガス109を導入しながら、ECRプラズマを起こす。このときの温度は200°Cである。ECRプラズマにより、AlとNがGaAs基板に成長していき、AlN膜107を製造できる。このようにECRプラズマを用いたAlN膜の製造方法により、高純度の金属Alを用いているので、当然高純度のAlN膜を成長でき、MOVPE法のように高温での成長を必要とせずに、膜の製造が可能となる。

Claim (excerpt)：

金属Alと窒素ガスを用い、ECRプラズマによりAlN膜を製造する窒化アルミニウムの製造方法。

IPC (3)：

C01B 21/072 ,  H01S 3/18 ,  H01L 21/318

FI (3)：

C01B 21/072 A ,  H01S 3/18 ,  H01L 21/318 B