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J-GLOBAL ID：200903038236718207

指紋センサ

Inventor： 住原 正則 ,  武田 克 ,  西倉 孝弘 ,  川崎 修
Applicant, Patent owner： 松下電器産業株式会社
Agent (1)： 小鍜治 明 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1991219540
Publication number (International publication number)：1993061966
Application date： Aug. 30, 1991
Publication date： Mar. 12, 1993
Summary：

【要約】【目的】 小型化が可能でかつ高分解能で信頼性の高い指紋センサを提供することを目的とする。【構成】 1は、下面電極4と、その上の、少なくとも下面電極4の幅の寸法W1 を有する圧電薄膜5と、この圧電薄膜5上に下面電極4の境界辺から少なくとも圧電薄膜5の厚みの1/2の寸法W2 だけ後退させて形成された上面電極6を具備し、下面電極4と上面電極6を介して分極処理することにより構成される単位センサ素子である。2はこのセンサ素子1を走査するためのスイッチング用のMOS型電界効果トランジスタ(以下FETと記す)であり、3はこのセンサ素子1の出力信号用のインピーダンス変換用FETである。この単位センサ素子を半導体基板上にマトリックス状に複数個配置させて指紋センサとする。

Claim (excerpt)：

複数個の圧電薄膜素子をマトリックス状に配置して、各圧電薄膜素子に加えられた圧力を電気出力信号に変換することにより、指の指紋情報を検出する指紋センサにおいて、下面電極上に圧電薄膜を形成したのち、前記圧電薄膜上に少なくとも圧電薄膜の厚みの1/2の寸法だけ後退させた上面電極を形成し、前記下面電極と前記上面電極を介して分極処理することにより、センサ素子を構成することを特徴とする指紋センサ。

IPC (3)：

G06F 15/64 ,  G06F 3/03 315 ,  G06F 3/03 345