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J-GLOBAL ID：200903038239876466

化学的気相成長装置およびそのクリーニング方法

Inventor： 遠藤 和彦
Applicant, Patent owner： 日本電気株式会社
Agent (1)： 若林 忠
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1997162715
Publication number (International publication number)：1999012744
Application date： Jun. 19, 1997
Publication date： Jan. 19, 1999
Summary：

【要約】【課題】 複合絶縁膜を効率よく、はがれなく、また品質よく成膜するための化学的気相成長装置およびそのクリーニング方法を提供する。【解決手段】 複合絶縁膜を堆積させるための化学的気相成長装置において、それぞれ非晶質炭素膜の堆積および酸化珪素膜の堆積のための反応室を設け、搬送室およびロードロック室、ならびに成膜原料ガスおよび反応室のクリーニングガスを共用し、非晶質炭素膜の成膜後のウエハーを大気中にとり出すことなく酸化珪素膜を成膜することができるようにした。また、一方の反応室で成膜している間に、他方の反応室のクリーニングを行うことにより、従来よりも高い生産性を得ることができる。

Claim (excerpt)：

複数の反応室を有する化学的気相成長装置であって、少くとも弗素を含有する非晶質炭素膜をウエハーに堆積させるための第1の反応室、第1の反応室からの該ウエハーの非晶質炭素膜上に酸化珪素膜を堆積するための第2の反応室、ならびに該第1および第2の反応室のそれぞれにゲートバルブを介して接続された搬送室からなり、該反応室および該搬送室は、それぞれに真空に保たれており、該第1の反応室から該搬送室を経て第2の反応室へ大気にさらすことなくウエハーを搬送するようなしたことを特徴とする装置。

IPC (3)：

C23C 16/54 ,  C23C 16/44 ,  H01L 21/205

FI (3)：

C23C 16/54 ,  C23C 16/44 J ,  H01L 21/205