MOSトランジスタの製造方法

Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：小池晃 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1995073694
Publication number (International publication number)：1996274185
Application date： Mar. 30, 1995
Publication date： Oct. 18, 1996
Summary：

【要約】【目的】 p型MOSトランジスタ(PMOS)のp型ゲート電極からのB(ホウ素)の拡散あるいはゲート絶縁膜突き抜けを防止する。【構成】ゲート酸化膜5上にアモルファス・シリコン膜6aを成膜した後、結晶核発生速度の遅い低温長時間アニールによりこれを十分に粒径の大きいポリシリコン膜6pに変化させる。つまり、この段階で後にゲート電極G1 となるべき部分の大粒径化が終了しているため、この後にWSix 膜7を成膜するための減圧CVDやソース/ドレイン領域12活性化のためのラピッド・サーマル・アニール等の様々な熱処理を経ても大粒径状態が維持され、Bの粒界拡散を生じにくい膜となる。【効果】 PMOSの閾値電圧Vthの上昇やサブスレッショルド・スイングの増大が防止され、動作速度と信頼性が向上する。

Claim (excerpt)：

少なくとも一部がp型半導体膜より構成されるゲート電極を有するMOSトランジスタの製造方法において、ゲート絶縁膜上にアモルファス・シリコン膜を成膜する第1工程と、前記アモルファス・シリコン膜を550〜700°Cで1時間以上アニールしてポリシリコン膜に変化させる第2工程と、少なくとも前記ポリシリコン膜をパターニングしてゲート電極を形成する第3工程と、前記ゲート電極をマスクとしてp型不純物のイオン注入を行うことによりソース/ドレイン領域を形成すると共に該ゲート電極の導電型をp型とする第4工程とを有するMOSトランジスタの製造方法。

IPC (6)：

H01L 21/8238 , H01L 27/092 , H01L 21/20 , H01L 21/265 , H01L 29/78 , H01L 21/336

FI (6)：

H01L 27/08 321 D , H01L 21/20 , H01L 21/265 P , H01L 21/265 Q , H01L 21/265 A , H01L 29/78 301 P

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (4)

半導体装置の製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平5-143866 Applicant：川崎製鉄株式会社
特開平3-290922
トランジスターの製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平4-339367 Applicant：アメリカンテレフォンアンドテレグラフカムパニー

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