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J-GLOBAL ID：200903038245811228

電力用ショットキバリアダイオード

Inventor： 奥村 三郎 ,  土江 康夫
Applicant, Patent owner： 株式会社三社電機製作所
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1997148535
Publication number (International publication number)：1998321880
Application date： May. 22, 1997
Publication date： Dec. 04, 1998
Summary：

【要約】【課題】 設計どおりの耐圧を得るとともに,順電圧降下を低くできる電力用ショットキバリアダイオードを提供する。【解決手段】 N型半導体基板2の一方の表面の一部に,P型半導体層4のガードリングが形成され,このガードリングの外側周端部にシリコン酸化膜6を有し,一方の表面にショットキバリア金属層10を形成する電力用ショットキバリアダイオードにおいて,上記シリコン酸化膜6の内側に接して,内側にショットキバリア金属層10が形成されたものである。

Claim (excerpt)：

N型半導体基板の一方の表面の一部にP型半導体層のガードリングが形成され,上記ガードリングの外側の表面の周端部に酸化膜を有し,上記一方の表面にショットキバリア金属層を有する電力用ショットキバリアダイオードにおいて,上記酸化膜内側端に接して内側に上記ショットキバリア金属層が形成されたことを特徴とする電力用ショットキバリアダイオード。

FI (2)：

H01L 29/48 G ,  H01L 29/48 F

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (4)

• 特開昭58-107684
  
• 特開昭54-080688
  
• 半導体装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平7-212526   Applicant：サンケン電気株式会社
• 特開昭63-094674