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J-GLOBAL ID：200903038246164056

フラッシュメモリ装置

Inventor： 矢羽田 崇
Applicant, Patent owner： 富士通株式会社
Agent (1)： 井桁 貞一
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1995167392
Publication number (International publication number)：1997022596
Application date： Jul. 03, 1995
Publication date： Jan. 21, 1997
Summary：

【要約】【目的】 本発明は、フラッシュメモリ素子を用いたフラッシュメモリ装置に関し、該メモリ装置のデータ格納に要する所要時間を短縮し、効率的にデータを更新することを目的とする。【構成】 フラッシュメモリ回路と、RAMから構成されるバッファメモリ回路と、転送制御回路と、データ監視回路とから構成され、データ監視回路でバッファメモリ回路からフラッシュメモリ回路へ転送されるデータのパターンをチェックし、フラッシュメモリ回路を一括消去する際得られるデータのパターンと異なる場合のみフラッシュメモリ回路に格納することを特徴とするフラッシュメモリ装置。

Claim (excerpt)：

書込みに際し、既に格納されているデータを一旦消去し、次いで新データをフラッシュメモリに書き込むフラッシュメモリ装置において、前記新データと、消去された前記フラッシュメモリの示すデータとが異なる場合のみ、前記新データを書き込むことを特徴とするフラッシュメモリ装置。