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J-GLOBAL ID：200903038248703116

金属含有エピスルフィド化合物およびその製造方法

Inventor： 大久保 毅 ,  姜 健
Applicant, Patent owner： ホーヤ株式会社
Agent (1)： 大谷 保
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2000112530
Publication number (International publication number)：2001294592
Application date： Apr. 13, 2000
Publication date： Oct. 23, 2001
Summary：

【要約】【課題】 屈折率及びアッベ数の高い光学材料の原料として有用な金属含有エピスルフィド化合物、及びそれを効率よく製造する方法を提供すること。【解決手段】 一般式 (1)【化1】(MはSi、Ge、SnまたはTi、xは1〜4の整数、yは1または2)で表される金属含有エピスルフィド化合物、一般式MZ4 (Mは上記と同じ、Zはハロゲン原子)で表される四ハロゲン化金属と2:3 -エピチオメルカプトプロパンを反応させる、一般式(1-a)【化2】(Mは上記と同じ)で表される金属含有エピスルフィド化合物の製造方法、および上記四ハロゲン化金属のクロロメチル化体またはビニル置換体と2:3 -エピチオメルカプトプロパンを反応させる、一般式(1) (ただし、xは1〜3の整数、yは1または2)で表される金属含有エピスルフィド化合物の製造方法である。

Claim (excerpt)：

一般式 (1)【化1】(式中、Mはケイ素、ゲルマニウム、スズまたはチタンを示し、xは1〜4の整数を示し、yは1または2を示す。)で表される金属含有エピスルフィド化合物。

IPC (5)：

C07F 7/08 ,  C07F 7/22 ,  C07F 7/28 ,  C07F 7/30 ,  G02B 1/04

FI (5)：

C07F 7/08 R ,  C07F 7/22 S ,  C07F 7/28 E ,  C07F 7/30 F ,  G02B 1/04

F-Term (17)：

4H049VN01 ,  4H049VN02 ,  4H049VN03 ,  4H049VN05 ,  4H049VP01 ,  4H049VQ61 ,  4H049VR21 ,  4H049VR22 ,  4H049VR23 ,  4H049VR61 ,  4H049VR62 ,  4H049VR63 ,  4H049VR64 ,  4H049VS09 ,  4H049VT51 ,  4H049VU20 ,  4H049VW02