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J-GLOBAL ID：200903038250328047

単結晶成長装置

Inventor： 稲見 修一 ,  藤原 俊幸 ,  久保 高行 ,  藤原 秀樹 ,  奥井 正彦
Applicant, Patent owner： 住友金属工業株式会社
Agent (1)： 井内 龍二
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1993220020
Publication number (International publication number)：1995069778
Application date： Sep. 03, 1993
Publication date： Mar. 14, 1995
Summary：

【要約】【構成】 坩堝11内の結晶用原料を引き上げて単結晶16を成長させる単結晶成長装置10において、炉壁21aと坩堝11との間に位置する断熱材22の一部が移動可能に構成されている単結晶成長装置10。【効果】 略室温に冷却されている炉壁21aを坩堝11に対して露出させたり隠したりすることができ、炉壁21aを露出させることによって、全融再凝固方式を用いた溶融層法における固体層18の形成時間を大きく短縮することができ、生産効率を大幅に向上させることができ、また炉壁21aを隠すことによって、原料の溶解及び単結晶の成長に要する時間を短時間に維持することができる。

Claim (excerpt)：

坩堝内の結晶用原料を引き上げて単結晶を成長させる単結晶成長装置において、炉壁と前記坩堝との間に位置する断熱材の一部が移動可能に構成されていることを特徴とする単結晶成長装置。