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J-GLOBAL ID：200903038250838266
半導体基板の製造方法
Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
八田 幹雄
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1994042707
Publication number (International publication number)：1995249573
Application date： Mar. 14, 1994
Publication date： Sep. 26, 1995
Summary：
【要約】【目的】 半導体基板上に化合物半導体層を成長させてなる基板を、半導体基板の特性を変えることなく有効に平坦化しうる方法を提供する。【構成】 あらかじめSi基板1を、このSi基板上にGaAs層を成長させたときの基板の反り量に相当する量bだけ凸状または凹状に加工しておき、その上にGaAs層7を成長させる。
Claim (excerpt)：
半導体基板を凸状または凹状に加工する第1工程と、前記半導体基板の表面上に当該半導体基板と異なる種類の化合物半導体層を成長させる第2工程と、を有することを特徴とする半導体基板の製造方法。
IPC (3)：
H01L 21/20
, H01L 21/205
, H01L 21/304 321
