Pat
J-GLOBAL ID:200903038265287550
改質された高分子電解質膜の製造方法
Inventor:
Applicant, Patent owner:
Agent (1):
久保山 隆 (外2名)
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):2002260979
Publication number (International publication number):2003257261
Application date: Sep. 06, 2002
Publication date: Sep. 12, 2003
Summary:
【要約】【課題】吸水率の低減等がなされた改質された高分子電解質膜の製造方法を提供する。【解決手段】[1]加圧下で、高分子電解質膜に流体を接触させることを特徴とする改質された高分子電解質膜の製造方法。[2]加圧下で、高分子電解質膜に流体を接触させることを特徴とする高分子電解質膜の改質方法。[3]流体が、液状又は超臨界状態であることを特徴とする上記[1]または[2]に記載の方法。[4]流体が、アルコール類、炭化水素類、フロン類、二酸化炭素、水素、窒素、不活性ガス類の群から選ばれることを特徴とする上記[1]または[2]に記載の方法。[5]圧力が0.5MPa以上であることを特徴とする上記[1]〜[4]いずれかに記載の方法。[6]接触温度T(°C)が、前記高分子電解質膜の融点をTm(°C)とした時0<T<Tm-5(°C)の範囲であることを特徴とする上記[1]〜[5]いずれかに記載の方法。
Claim (excerpt):
加圧下で、高分子電解質膜に流体を接触させることを特徴とする改質された高分子電解質膜の製造方法。
IPC (6):
H01B 13/00
, C08J 7/02 CER
, H01B 1/06
, H01M 8/02
, H01M 8/10
, C08L101:00
FI (6):
H01B 13/00 Z
, C08J 7/02 CER Z
, H01B 1/06 A
, H01M 8/02 P
, H01M 8/10
, C08L101:00
F-Term (25):
4F073AA01
, 4F073AA02
, 4F073BA15
, 4F073BA19
, 4F073BA27
, 4F073BA31
, 4F073BA32
, 4F073BA33
, 4F073BB01
, 4F073EA14
, 4F073EA17
, 4F073EA21
, 4F073EA25
, 4F073GA11
, 4F073HA01
, 4F073HA04
, 5G301CA30
, 5G301CD01
, 5G301CE10
, 5H026AA06
, 5H026BB00
, 5H026CX05
, 5H026EE18
, 5H026HH08
, 5H026HH09
Patent cited by the Patent: