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J-GLOBAL ID：200903038273546700

層間絶縁膜とレジスト材料層との密着性改善方法

Inventor： 前田 圭一
Applicant, Patent owner： ソニー株式会社
Agent (1)： 田治米 登 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1997043520
Publication number (International publication number)：1998242028
Application date： Feb. 27, 1997
Publication date： Sep. 11, 1998
Summary：

【要約】【課題】 半導体装置などの層間絶縁膜とその上に形成されるレジスト材料層との間の密着性を改善する。【解決手段】 層間絶縁膜2とその上に形成されるレジスト材料層3との間の密着性改善方法であって、レジスト材料層3を形成する前に、予め層間絶縁膜2の表面をプラズマ処理又はイオン注入処理しておく。

Claim (excerpt)：

層間絶縁膜とその上に形成されるレジスト材料層との間の密着性改善方法であって、レジスト材料層を形成する前に、予め層間絶縁膜の表面をプラズマ処理又はイオン注入処理しておくことを特徴とする密着性改善方法。

IPC (7)：

H01L 21/027 ,  G03F 7/039 ,  G03F 7/38 501 ,  H01L 21/265 ,  H01L 21/3065 ,  H01L 21/316 ,  H01L 21/768

FI (7)：

H01L 21/30 563 ,  G03F 7/039 ,  G03F 7/38 501 ,  H01L 21/316 P ,  H01L 21/265 Y ,  H01L 21/302 N ,  H01L 21/90 A