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J-GLOBAL ID：200903038291095154

シリコンウエハー上に白金薄膜を形成する方法、その方法により製造されたシリコン基板及びその基板を利用した半導体素子の製造方法

Inventor： 李東洙 ,  全東一 ,  朴東衍 ,  河朝雄 ,  尹義▲俊▼ ,  金▲文▼弘 ,  禹賢廷
Applicant, Patent owner： 東洋セメント株式会社
Agent (1)： 青木 輝夫
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1995331148
Publication number (International publication number)：1996274046
Application date： Nov. 27, 1995
Publication date： Oct. 18, 1996
Summary：

【要約】【課題】 シリコンウエハー上の絶縁層及び白金薄膜層間の接着層における化学反応により、前記絶縁層及び白金薄膜層間における接着機能の喪失及び白金薄膜層に係わる電極機能の喪失が発生した。【解決手段】 シリコンウエハー上に白金薄膜層を形成する方法としては、絶縁酸化物をシリコンウエハー上に形成した後(ステップS12)、酸化雰囲気中にて前記絶縁酸化物上に酸素が含まれた白金薄膜を蒸着する酸化雰囲気蒸着処理工程(ステップS13)と、完全不活性雰囲気中にて前記酸素が含まれた白金薄膜上に所望の厚さの純粋な白金薄膜層を蒸着する不活性雰囲気蒸着処理工程(ステップS14)と、このような白金薄膜層等が蒸着されたシリコンウエハーを400度〜1300度の温度で熱処理を加えることにより、ステップS12の酸素が含まれた白金薄膜から酸素を除去する熱処理工程(ステップS15)とを有している。

Claim (excerpt)：

シリコンウエハー上に白金薄膜を形成する方法であって、シリコンウエハーの表面に絶縁酸化物を形成する絶縁酸化物形成工程と、酸化雰囲気中で前記絶縁酸化物上に白金を蒸着することにより、白金、白金酸化物及び白金粒子に吸着された酸素からなる混合物薄膜である、酸素が含まれた白金薄膜を形成する酸化雰囲気蒸着処理工程と、完全不活性雰囲気中で前記酸素が含まれた白金薄膜上に、所望の厚さの純粋な白金薄膜を蒸着する不活性雰囲気蒸着処理工程と、前記酸化雰囲気蒸着処理工程及び不活性雰囲気蒸着処理工程を経たシリコンウエハーを400°C〜1300°Cの温度で熱処理し、前記酸素が含まれた白金薄膜層中から酸素を除去する熱処理工程とを有し、前記酸化雰囲気蒸着処理工程で形成された白金薄膜は、前記熱処理工程の実施後には酸素を含まない純粋な白金薄膜に転換されることを特徴とするシリコンウエハー上に白金薄膜を形成する方法。

IPC (7)：

H01L 21/285 301 ,  H01L 21/285 ,  H01L 21/203 ,  H01L 21/288 ,  H01L 21/316 ,  H01L 41/08 ,  H01L 41/09

FI (9)：

H01L 21/285 301 R ,  H01L 21/285 S ,  H01L 21/285 C ,  H01L 21/285 P ,  H01L 21/203 S ,  H01L 21/288 E ,  H01L 21/316 X ,  H01L 41/08 D ,  H01L 41/08 L