Pat
J-GLOBAL ID:200903038301859425

半導電性ローラ

Inventor:
Applicant, Patent owner:
Agent (1): 池浦 敏明 (外1名)
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):1991133429
Publication number (International publication number):1993107874
Application date: May. 09, 1991
Publication date: Apr. 30, 1993
Summary:
【要約】【目的】 耐トナーフィルミング性、耐オゾン性に優れ、しかも絶縁破壊電圧が高い電子写真システムにおける半導電性ローラを提供する。【構成】 導電性支持体上に抵抗層が形成された半導電性ローラにおいて、該抵抗層が、フッ素ゴムまたは水素化ニトリルゴムを主体とするものであり、殊に該フッ素ゴムがフッ化ビニリデン-四フッ化エチレン-六フッ化プロピレン共重合体であること、また該フッ素系ゴムに溶剤可溶性フッ素樹脂を混合したものであること、更に該フッ素樹脂がフルオロオレフィン-水酸基含有ビニルエーテル共重合体であることを特徴とする半導電性ローラ。
Claim (excerpt):
導電性支持体上に抵抗層が形成された半導電性ローラであって、該抵抗層がフッ素系ゴム、または水素化ニトリルゴムを主体として構成されていることを特徴とする半導電性ローラ。
IPC (3):
G03G 15/02 101 ,  G03G 15/06 101 ,  G03G 15/08

Return to Previous Page