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J-GLOBAL ID：200903038320134628

成膜方法

Inventor： 神力 博 ,  鈴木 幹夫
Applicant, Patent owner： 東京エレクトロン株式会社
Agent (1)： 伊東 忠彦
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2003172438
Publication number (International publication number)：2005011904
Application date： Jun. 17, 2003
Publication date： Jan. 13, 2005
Summary：

【課題】ステップカバレッジの優れた高品質な膜を、効率よく形成する。【解決手段】初めにALD法により第1の膜を形成し、その後でMOCVD法により第2の膜を形成する。その際、ALD法とMOCVD法とを連続して、同一の成膜装置中において、途中で大気に露出することなく、実質的に同一の基板温度で実行する。【選択図】 図2

Claim (excerpt)：

処理容器中に被処理基板を導入する工程と、 前記処理容器中に少なくとも第1および第2の処理ガスを、交互に、間にパージ工程を介在させながら導入し、前記被処理基板表面に第1の膜を形成する工程と、 前記第1の膜を形成する工程の後、前記処理容器中に複数の原料ガスを同時に導入し、前記第1の膜上に第2の膜を形成する工程とよりなり、 前記第2の膜を形成する工程は、前記第1の膜を形成する工程の後、前記被処理基板を大気に曝露することなく、連続して、前記第1の膜を形成する工程の基板温度と実質的に同じ基板温度において実行されることを特徴とする成膜方法。

IPC (3)：

H01L21/316 ,  H01L21/8242 ,  H01L27/108

FI (3)：

H01L21/316 M ,  H01L27/10 621Z ,  H01L27/10 651

F-Term (25)：

5F058BA09 ,  5F058BD01 ,  5F058BD04 ,  5F058BD05 ,  5F058BD10 ,  5F058BD15 ,  5F058BF06 ,  5F058BF80 ,  5F058BG02 ,  5F058BJ04 ,  5F083AD10 ,  5F083AD21 ,  5F083GA27 ,  5F083JA03 ,  5F083JA04 ,  5F083JA05 ,  5F083JA06 ,  5F083JA35 ,  5F083JA39 ,  5F083JA40 ,  5F083JA53 ,  5F083MA06 ,  5F083MA17 ,  5F083MA20 ,  5F083PR21

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (3)

• 誘電体界面被膜およびその方法
  Gazette classification：公表公報   Application number：特願2002-535166   Applicant：エーエスエムインターナショナルエヌ.ヴェー.
• 基板処理装置および処理方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2001-244730   Applicant：東京エレクトロン株式会社, 株式会社ケミトロニクス
• 成膜装置及び成膜方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2002-202062   Applicant：株式会社日立製作所