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J-GLOBAL ID：200903038328593133

薄膜磁気デイスクの製造方法

Inventor： 大竹 光義 ,  渡辺 正博 ,  猪股 洋一 ,  森口 善弘
Applicant, Patent owner： 株式会社日立製作所
Agent (1)： 小川 勝男
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1991291239
Publication number (International publication number)：1993128505
Application date： Nov. 07, 1991
Publication date： May. 25, 1993
Summary：

【要約】【目的】本発明は薄膜磁気ディスクの製造プロセスに関し、特にテクスチャ加工中に生じた加工暦や自然酸化膜を洗浄中に加工液や砥粒、加工粉と共にエッチング除去し、円周方向に磁気異方性を付けることにある。【構成】Ni-P2めっき膜をテクスチャ加工し、加工液などの汚染部質の洗浄と同じに、加工で生じる歪や熱による局部的に結晶化した部分をエッチングする。エッチングは洗浄液にNi-Pをエッチングする酸性部質又はアルカリ性部質を添加したものを使用する。【効果】洗浄中に汚染物の除去と加工暦をエッチンするため、磁気異方性の優れた次成膜を成膜できる効果がある。

Claim (excerpt)：

磁性媒体を支えるNi-Pメッキ基板の上に、下地膜、磁性膜、保護膜、潤滑膜を順次成膜し、且つ、基板と下地膜の間にテクスチャ加工処理を行う薄膜磁気ディスクの製造方法において、テクスチャ加工直後、汚染物の洗浄と共に基板表面をエッチングすることを特徴とする薄膜磁気ディスクの製造方法。