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J-GLOBAL ID：200903038331030964

レジストパタン形成方法

Inventor： 福本 佳子 ,  長谷川 昇雄 ,  浅井 尚子 ,  小野塚 利彦
Applicant, Patent owner： 株式会社日立製作所
Agent (1)： 小川 勝男
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1998304993
Publication number (International publication number)：2000133571
Application date： Oct. 27, 1998
Publication date： May. 12, 2000
Summary：

【要約】【課題】 レジストの薄膜化に伴い、反射防止膜の薄膜化が必須となっているが、吸光性能を維持して薄膜化することは難しい。【解決手段】 下置き反射防止膜の消衰係数kを上げ、薄膜化しても充分な反射防止性能を維持する。その際、上置き反射防止膜を併用し、レジスト膜内干渉を抑制する。【効果】 下置き反射防止膜の薄膜化が可能となり、パタンの微細化に寄与する。

Claim (excerpt)：

基体上に、露光光に対し光吸収性を持ち、膜厚が≦70nmである第1の反射防止膜を形成する工程、前記第1の反射防止膜上にレジスト膜を形成する工程、前記レジスト膜上に第2の反射防止膜を形成する工程、前記レジスト膜に露光する工程、前記レジストを現像する工程を有することを特徴とするレジストパタン形成方法。

IPC (2)：

H01L 21/027 ,  G03F 7/11 501

FI (2)：

H01L 21/30 574 ,  G03F 7/11 501

F-Term (8)：

2H025AB16 ,  2H025AC04 ,  2H025DA03 ,  2H025DA34 ,  5F046CA04 ,  5F046PA07 ,  5F046PA17 ,  5F046PA19

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (2)

• レジストパターン形成方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平9-008360   Applicant：ソニー株式会社
• 反射防止コーティングおよびその形成方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平10-149136   Applicant：インターナショナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレイション