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J-GLOBAL ID：200903038333600997

シリコンウエーハの処理方法

Inventor： 川原 博幸 ,  元浦 久実 ,  植村 訓之
Applicant, Patent owner： コマツ電子金属株式会社
Agent (1)： 猪熊 克彦
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1992235271
Publication number (International publication number)：1993326535
Application date： Aug. 10, 1992
Publication date： Dec. 10, 1993
Summary：

【要約】【目的】シリコンウエーハ表面の微小欠陥を除去するための好ましい熱処理条件を提供し、併せてゲッタリング効果の低下を阻止する。【構成】引き上げ法により形成したシリコンウエーハを、11.1-1.04×10<SP>-2</SP>×T<log(t)<6.0-4.3×10<SP>-3</SP>×T(但し、Tは°C単位で表した熱処理温度、tはHr単位で表した熱処理時間)の範囲内で熱処理することを特徴とし、また、17.5-1.57×10<SP>-2</SP>×T<log(t)<4.4-3.2×10<SP>-3</SP>×Tの範囲内で熱処理することを特徴とし、また上記熱処理に引き続いてより低温の熱処理を施すことを特徴とする。

Claim (excerpt)：

引き上げ法により形成したシリコンウエーハを、11.1-1.04×10<SP>-2</SP>×T<log(t)<6.0-4.3×10<SP>-3</SP>×T(但し、Tは°C単位で表した熱処理温度、tはHr単位で表した熱処理時間)の範囲内で熱処理することを特徴とするシリコンウエーハの処理方法。

IPC (2)：

H01L 21/324 ,  H01L 21/322

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (4)

• 特開昭58-044724
  
• 特開平1-136343
  
• 特開平3-177541
  
• 特開昭58-087833