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J-GLOBAL ID：200903038343093546
半導体装置
Inventor：
,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
中村 純之助 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1993323634
Publication number (International publication number)：1995183507
Application date： Dec. 22, 1993
Publication date： Jul. 21, 1995
Summary：
【要約】【目的】ノーマリ・オフ型で、制御性に優れ、オン抵抗が低く、ホットキャリアによる特性の変動や劣化が少なく、かつスイッチング速度の速い半導体装置を提供する。【構成】基板であるコレクタ領域2の表面にエミッタ領域3を設け、コレクタ領域2の一部とエミッタ領域3とを挟むようにU字型の固定絶縁電極6を配置する。この固定絶縁電極6はエミッタ領域3と同電位に保たれ、かつ隣接するコレクタ領域2に空乏層を形成する材料からなる。この空乏層によってエミッタ領域3とコレクタ領域2は電気的に遮断されるように配設する。またコレクタ領域2と固定絶縁電極6の絶縁膜5とに接し、エミッタ領域3には接しないインジェクション領域8を設け、さらにインジェクション領域の端部8′が固定絶縁電極の先端部の絶縁膜とコレクタ領域との界面にも介在するように形成した構成。
Claim (excerpt)：
コレクタ領域である一導電型の半導体基体の一主面に接して、同一導電型の島状のエミッタ領域を1個または複数個有し、前記主面に、前記エミッタ領域を挟んで、溝を1個または複数個有し、前記溝の内部には絶縁膜によって前記コレクタ領域と絶縁され、かつ、前記エミッタ領域と同電位に保たれた固定絶縁電極を有し、前記固定絶縁電極は、前記絶縁膜を介して隣接する前記コレクタ領域に空乏領域を形成するような性質を有する導電性材料から成り、前記固定絶縁電極を取り囲む前記絶縁膜ならびに前記コレクタ領域に接して、前記エミッタ領域には接しない、反対導電型のインジェクション領域を有し、前記エミッタ領域に隣接する前記コレクタ領域の一部であって、前記固定絶縁電極によって挾み込まれ、前記インジェクション領域の電位が前記エミッタ領域の電位と同電位に保たれている状態では、前記空乏領域の形成するポテンシャル障壁によって前記エミッタ領域と前記コレクタ領域とを電気的に遮断状態とするチャネル領域を有し、かつ、前記インジェクション領域は、前記固定絶縁電極の先端部すなわち前記溝の底面近傍部分における絶縁膜と前記コレクタ領域との界面にも介在し、さらに、前記インジェクション領域とオーミックコンタクトする制御電極を有する、ことを特徴とする半導体装置。
IPC (2)：
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