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J-GLOBAL ID：200903038349681725

パルス・レーザによる基板表面薄膜の除去方法

Inventor： 陸 永楓 ,  青柳 克信
Applicant, Patent owner： 理化学研究所
Agent (1)： 上島 淳一
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1994120796
Publication number (International publication number)：1995307314
Application date： May. 11, 1994
Publication date： Nov. 21, 1995
Summary：

【要約】【目的】処理時間に長時間を要し、処理費用が高価となり、さらには薄膜除去のパターンの柔軟性に欠ける従来の多数の工程を経る基板表面薄膜の除去方法とは全く異なり、単一工程により処理時間の短縮化、処理費用の低コスト化ならびに除去パターンの多様化を図ることのできる、実用性に優れた新規なパルス・レーザによる基板表面薄膜の除去方法を提供する。【構成】波長248nm、パルス幅20ns、エネルギー密度500mJ/cm2のKrFエキシマ・レーザを、厚さ50nmのSiO2薄膜を蒸着したGaAs基板上の所望の領域に1パルス照射し、上記GaAs基板上の上記所望の領域から上記SiO2薄膜を剥離させて除去する。

Claim (excerpt)：

基板表面に付着した薄膜たる基板表面薄膜を除去するための基板表面薄膜の除去方法において、基板表面薄膜に対して透明な波長を有するとともに、基板に対して吸収ならびに反射する波長を有するパルス・レーザを、前記基板表面から除去したい前記基板表面薄膜の領域部位に対してのみ照射するようにしたことを特徴とするパルス・レーザによる基板表面薄膜の除去方法。

IPC (3)：

H01L 21/302 ,  H01L 21/268 ,  H05K 3/08

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (3)

• 特開平1-296623
  
• 特開平2-015625
  
• 特開平3-119725