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J-GLOBAL ID：200903038350083351

イオンプレーティング装置

Inventor： 田雑 寅夫 ,  中本 一朗 ,  瓦谷 立身 ,  白川 忠秀
Applicant, Patent owner： 石川島播磨重工業株式会社
Agent (1)： 絹谷 信雄
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1994058597
Publication number (International publication number)：1995268614
Application date： Mar. 29, 1994
Publication date： Oct. 17, 1995
Summary：

【要約】【目的】 基板上に長時間に亙って安定した絶縁膜を作製することが可能なイオンプレーティング装置を提供する。【構成】 真空チャンバ10内で蒸発された蒸発粒子をプラズマ銃17でイオン化して基板14に成膜するイオンプレーティング装置において、プラズマ銃17に対向して配置する対向電極18を、接地された金属るつぼ19内にアルミニウム等プラズマで溶融すると共に酸化物を形成する金属20を収容して形成したことを特徴としている。

Claim (excerpt)：

真空チャンバ内で蒸発された蒸発粒子をプラズマ銃でイオン化して基板に成膜するイオンプレーティング装置において、上記プラズマ銃に対向して配置する対向電極を、接地された金属るつぼ内にアルミニウム等プラズマで溶融すると共に酸化物を形成する金属を収容して形成したことを特徴とするイオンプレーティング装置。

IPC (4)：

C23C 14/32 ,  H01L 21/203 ,  H01L 21/205 ,  H01L 21/268