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J-GLOBAL ID：200903038352437410

プラズマ処理装置

Inventor： 宮 本 高 志 ,  津 上 芳 三
Applicant, Patent owner： 芝浦メカトロニクス株式会社
Agent (1)： 佐藤 一雄 (外3名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1998171495
Publication number (International publication number)：2000012289
Application date： Jun. 18, 1998
Publication date： Jan. 14, 2000
Summary：

【要約】【課題】 放電管の長寿命化を図り得るプラズマ処理装置を提供する。【解決手段】 誘電体で形成された放電管6の内部にプロセスガスを導入し、放電管6の内部のプロセスガスにマイクロ波導波管8を介してマイクロ波を照射してプラズマを発生させるようにしたプラズマ処理装置である。マイクロ波導波管8は放電管6の長手方向に沿って配置されている。マイクロ波導波管8には、放電管6の内部にマイクロ波を導入するためのスリット21が設けられている。スリット21の厚さは、マイクロ波がスリットの全体にわたって均一に通過するように最適化されている。

Claim (excerpt)：

誘電体で形成された放電管の内部にプロセスガスを導入し、前記放電管の内部の前記プロセスガスにマイクロ波導波管を介してマイクロ波を照射してプラズマを発生させるようにしたプラズマ処理装置において、前記マイクロ波導波管は前記放電管の長手方向に沿って配置されており、前記マイクロ波導波管には、前記放電管の内部にマイクロ波を導入するためのスリットが設けられており、前記スリットの厚さは、マイクロ波が前記スリットの全体にわたって均一に通過するように最適化されていることを特徴とするプラズマ処理装置。

IPC (3)：

H05H 1/46 ,  C23F 4/00 ,  H01L 21/3065

FI (3)：

H05H 1/46 B ,  C23F 4/00 D ,  H01L 21/302 B

F-Term (12)：

4K057DA02 ,  4K057DB06 ,  4K057DD01 ,  4K057DM29 ,  4K057DM40 ,  4K057DN01 ,  5F004AA01 ,  5F004BA03 ,  5F004BA20 ,  5F004BB12 ,  5F004BB13 ,  5F004BB14