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J-GLOBAL ID：200903038383302512

誘電集束層を有するフィールド・エミッション・デバイス

Inventor： チェンガン・シェ ,  ジョン・ソン ,  サン・ピー・パク
Applicant, Patent owner： モトローラ・インコーポレイテッド
Agent (1)： 大貫 進介 (外1名)
Gazette classification：公表公報
Application number (International application number)：2000597823
Publication number (International publication number)：2002536802
Application date： Jan. 18, 2000
Publication date： Oct. 29, 2002
Summary：

【要約】フィールド・エミッション・デバイス(110,210,310,410)は、電子エミッタ(124)と、第1開口部(127)を画定する第1誘電集束層(122)と、第2開口部(133)を画定する第2誘電集束層(123)とを含む。第2誘電集束層(123)は、第1誘電集束層(122)の上に設けられる。第2誘電集束層(123)の誘電率は、第1誘電集束層(122)の誘電率よりも小さい。フィールド・エミッション・デバイス(110,210,310)の動作時に、電子エミッタ(124)は電子ビーム(134)を放射し、この電子ビームは第1開口部(127)それから第2開口部(133)を通過する際に集束される。

Claim (excerpt)：

フィールド・エミッション・デバイスであって: 電子ビームを放射すべく設計された電子エミッタ; 第1開口部を画定し、かつ第1誘電率によって特徴付けられる第1誘電集束層であって、前記第1開口部は電子ビームの通過を許すように設けられる、第1誘電集束層;および 第2開口部を画定し、かつ第2誘電率によって特徴付けられる第2誘電集束層であって、前記第2誘電集束層は前記第1誘電集束層の上に設けられ、前記第2開口部は電子ビームの通過を許すように設けられ、前記第2誘電率は前記第1誘電率よりも小さい、第2誘電集束層; によって構成されることを特徴とするフィールド・エミッション・デバイス。

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (1)

• 電界放出冷陰極素子
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平4-310508   Applicant：日本電気株式会社