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J-GLOBAL ID：200903038386426670

炭化硅素結晶の液相成長方法

Inventor： 田中 昭 ,  只友 一行
Applicant, Patent owner： 三菱電線工業株式会社
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1999288946
Publication number (International publication number)：2001106600
Application date： Oct. 12, 1999
Publication date： Apr. 17, 2001
Summary：

【要約】【課題】 2000°C近い高温でしか成長できなかったSiC結晶の液相成長を、1000°C程度以下の低温で行い得る液相成長方法を提供すること。【解決手段】 SiCの溶媒金属を希釈した溶液1、あるいはSiCの溶媒金属の一つであるSiを飽和量以下に溶解させた溶液1を準備し、SiCの溶媒金属あるいは溶解しているSiを、Siとルツボのカーボン2との反応、あるいは雰囲気に供給した炭化水素ガス3との反応、あるいはSiC固体原料5の溶解などによって溶液1をSiC成分で飽和することにより、SiC結晶を成長させることができる。

Claim (excerpt)：

Siと同等以上の融点を有する溶媒金属に対して、これよりも融点の低い金属を一種以上混合させて溶媒の融点を下げた状態のSi未飽和溶液を準備し、これをSiCにて飽和させることを特徴とする炭化珪素結晶の液相成長方法。

IPC (2)：

C30B 29/36 ,  C30B 19/04

FI (2)：

C30B 29/36 A ,  C30B 19/04

F-Term (7)：

4G077AA02 ,  4G077AA03 ,  4G077BE08 ,  4G077CG01 ,  4G077CG07 ,  4G077QA01 ,  4G077QA12