トランジスタ製造方法

Inventor： , , , , , ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：鈴木晴敏
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1992351647
Publication number (International publication number)：1994177142
Application date： Dec. 08, 1992
Publication date： Jun. 24, 1994
Summary：

【要約】【目的】トランジスタのディプレッションを改善する。【構成】真空チャンバ1の内部にガス導入口3を介して酸素が導入される。一対の電極板4,5の間に高周波が印加され酸素イオン及び/又は酸素活性種を含むプラズマ8が発生する。下側の電極板5の表面にはトランジスタの形成された基板9が載置されており、酸素イオン及び/又は酸素活性種を含む雰囲気中でアニールする。これにより、基板9の上に形成されたトランジスタのディプレッションを改善できる。

Claim (excerpt)：

酸素を含む気体のプラズマ放電によって生成した酸素イオン及び/又は酸素活性種を含む雰囲気中でアニールする事を特徴とするトランジスタ製造方法。

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (10)

特開平1-095575
特開平1-120070
特開平2-091937

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Cited by examiner (17)

特開平4-299566
特開平4-299566
特開平4-282841

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