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J-GLOBAL ID：200903038393721122

半導体レーザ素子及び当該素子の製造方法

Inventor： 田中 俊明
Applicant, Patent owner： 株式会社日立製作所
Agent (1)： 薄田 利幸
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1995316291
Publication number (International publication number)：1997162480
Application date： Dec. 05, 1995
Publication date： Jun. 20, 1997
Summary：

【要約】【課題】光導波路に窒素系材料を用いた新規な短波長帯の半導体レーザを実現すること。【解決手段】単結晶基板を採用し、同基板内の上部にn型又はp型の導電性を示す窒素拡散層を形成する。窒素拡散層を表面窒化によって形成し、基板内の上部を窒素系材料との結合が容易な材質に改質する。窒素系材料の結晶層からなる光導波路を前記窒素拡散層の上に形成する。また、窒素拡散層の上には、n側又はp側の電極を形成し、光導波路の上に他方のp側又はn側の電極を形成する。光導波路を活性層と、同活性層の上面と基板の面に垂直な同活性層の側面とを一体で被う光導波層と、同活性層の下面に接する光導波層とで構成する。光導波路を一回の選択結晶成長により形成する。【効果】屈折率差により基本横モードを安定に導波する埋込ヘテロ導波路構造を実現することができる。

Claim (excerpt)：

単結晶基板と、同単結晶基板内の上部に窒化によって形成したn型又はp型のいずれかの導電性を示す窒素拡散層とを有し、同窒素拡散層の上に窒素系材料からなる光導波路と、それぞれn側又はp側の電極とが形成され、同光導波路の上にそれぞれp側又はn側の他方の電極が形成されていることを特徴とする半導体レーザ素子。