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J-GLOBAL ID：200903038395163640
ウエーハの研磨方法
Inventor：
,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
松本 孝
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1991316623
Publication number (International publication number)：1993152264
Application date： Nov. 29, 1991
Publication date： Jun. 18, 1993
Summary：
【要約】【目的】OFヘキ開部の周辺ダレをなくする、あるいは周辺ダレの量を制御することができるGaAsウェーハの研磨方法の提供。【構成】GaAsウェーハの研磨において、材質がGaAsで厚さが同じダミー基板を用いたことにより、周辺部のダレを低減し、あるいはダレ量を制御する。
Claim (excerpt)：
研磨プレートにウェーハをワックス等で接着し、片面を鏡面に仕上げるウェーハの研磨方法において、ウェーハの周辺部にウェーハの面ダレを制御するダミー基板を接着して研磨することを特徴とするウェーハの研磨方法。
IPC (2)：
H01L 21/304 321
, B24B 7/22
