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J-GLOBAL ID：200903038396904660

荷電粒子線描画用マスク作成方法及びマスク

Inventor： 安田 洋 ,  山崎 悟 ,  坂本 樹一
Applicant, Patent owner： 富士通株式会社
Agent (1)： 伊東 忠彦 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1991188787
Publication number (International publication number)：1993036593
Application date： Jul. 29, 1991
Publication date： Feb. 12, 1993
Summary：

【要約】【目的】 繰り返しパターンの単位となる基本パターンの開口を持ち、荷重粒子線で照射されることにより上記基本パターンを発生して試料上に当該基本パターンを描画させるマスクの作成方法、及びその作成方法により作成されたマスクに関し、マスクの複数の分割微小領域毎に算出した所定の物理量に基づいて基本パターンの形成の禁止の有無を判定することを目的とする。【構成】 基本パターンを作成したときのマスクの分割微小領域毎に算出した温度上昇分が閾値未満のとき当該基本パターンの作成を許可するOK判定をし、それ以外はNG判定をする(ステップ23)。NG判定のときは再びパターンを分割して禁止チェック判定を行なう(ステップ25)。このようにして、すべてOK判定されたデータに基づいて、マスクに基本パターンを形成する(ステップ28)。

Claim (excerpt)：

所望パターン形状の開口が形成されたマスクに荷電粒子線を照射して該所望パターンを発生し、該所望パターンを試料上に露光することを繰り返すことにより、該所望パターンの繰り返しパターンを描画する荷電粒子線描画方法に用いられるマスクの作成方法であって、描画すべきパターンデータから繰り返し使用されるパターンの単位となる基本パターンのデータを抽出する第1の工程(11)と、該第1の工程(11)により抽出された基本パターンデータによってその基本パターンの開口をマスクに形成したとしたときのマスクを複数の微小領域に分割し、個々の分割微小領域毎に算出した所定の物理量が設定値以上となるか否か検出する第2の工程(12)と、該第2の工程(12)において該所定の物理量が該設定値以上と検出された場合は、そのときの基本パターンを2種類以上の互いに独立したパターンに分割するか、又は1個若しくは複数個の矩形と1つのパターンに分割し、分割後の各パターンを新たな基本パターンとして再び前記第2の工程(12)へ入力する第3の工程(13)と、前記第2の工程(12)において前記複数の微小領域のすべてについて前記所定の物理量が前記設定値未満であると検出された基本パターンのデータに基づいて、その基本パターンの形状をマスクに形成する第4の工程(14)とを含むことを特徴とする荷電粒子線描画用マスク作成方法。

FI (2)：

H01L 21/30 341 J ,  H01L 21/30 341 Q