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J-GLOBAL ID：200903038402915040

半導体装置

Inventor： 野々山 林 ,  平野 哲夫
Applicant, Patent owner： 日本電装株式会社
Agent (1)： 樋口 武尚
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1993050994
Publication number (International publication number)：1994265584
Application date： Mar. 11, 1993
Publication date： Sep. 22, 1994
Summary：

【要約】【目的】 MOS-ICの製造に適し、かつ、入力電圧と温度変化に対して一定となる定電圧回路単位を構成し、しかも、この定電圧回路を使用することにより電圧、電流、温度等の汎用性のある検出手段として使用できること。【構成】 入力端子1と共通入出力端子2と出力端子3と、入力端子1と出力端子3の間に接続された抵抗4と、ドレインDを出力端子3に、ソースSを共通入出力端子2に、ゲートGを入力端子1にぞれぞれ接続したMOSFET5によって抵抗4とMOSFET5からなる基本回路単位を形成する。

Claim (excerpt)：

入力端子と共通入出力端子と出力端子と、前記入力端子と前記出力端子の間に接続された抵抗と、ドレインを前記出力端子に、ソースを前記共通入出力端子に、ゲートを前記入力端子にぞれぞれ接続したMOSFETとを具備することを特徴とする半導体装置。

IPC (3)：

G01R 19/00 ,  G01R 1/28 ,  G05F 3/24