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J-GLOBAL ID：200903038411739514
半導体温度センサ
Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
林 敬之助
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1992044922
Publication number (International publication number)：1993248962
Application date： Mar. 02, 1992
Publication date： Sep. 28, 1993
Summary：
【要約】【目的】 出力電圧が高く、かつプロセスバラツキの小さい高精度な半導体温度センサを実現する。【構成】 ダーリントン接続されたトランジスタ2、3、4のそれぞれのエミッタ端子にMOSトランジスタ5、6、7を個別に接続し、これらのMOSトランジスタ5、6、7をMOSトランジスタ8を用いてカレントミラー回路で駆動する。
Claim (excerpt)：
感温素子である複数のバイポーラ型トランジスタを接続してなるダーリントン回路と、これに給電する定電流源と、上記定電流源にドレインが接続された第1のMOSトランジスタと、上記ダーリントン回路の最終段バイポーラ型トランジスタのエミッタ端子にドレインが接続された第2のMOSトランジスタとからなり、両MOSトランジスタのソースおよびゲート同士がそれぞれ接続されてカレントミラー回路を構成する半導体温度センサにおいて、上記最終段を除くバイポーラ型トランジスタには、それぞれに対応してMOSトランジスタが設けられ、それぞれのドレイン端子は上記バイポーラ型トランジスタの対応するエミッタ端子に、また、ゲート端子は上記第1および第2のMOSトランジスタとも互いに接続され、かつ、それらのチャネル幅、もしくは、チャネル長は、半導体温度センサを構成するバイポーラ型トランジスタの各々のエミッタ電流が全て等しくなるように設定されていることを特徴とする半導体温度センサ。
Patent cited by the Patent：
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