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J-GLOBAL ID：200903038415549973

太陽電池の製造方法

Inventor： 町田 智弘 ,  南森 孝幸 ,  竹田 喜彦 ,  西田 誠 ,  利根川 正
Applicant, Patent owner： シャープ株式会社
Agent (1)： 深見 久郎
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1992124991
Publication number (International publication number)：1993326989
Application date： May. 18, 1992
Publication date： Dec. 10, 1993
Summary：

【要約】【目的】 太陽電池の基板に埋込まれた微細な受光面電極を簡単に形成する。【構成】 p型シリコン基板1の表面にn+ 拡散層4を形成する。必要な表面処理を施した後、表面にPSG膜11を形成する。その表面にポリイミドフィルム12を張付け、レーザ加工することにより受光面電極埋込用の凹部1-1およびその周辺にn++拡散層2が形成される。次に金属ペースト9を塗布しポリイミドフィルム12を剥して焼成することにより受光面電極9-1が形成される。

Claim (excerpt)：

光電変換層およびパッシベーション膜の形成を含む表面の処理を施した第1の導電型のシリコン基板の表面に第2の導電型のドーパントを含む材料を塗布乾燥する工程と、前記の材料を塗布乾燥した表面にフィルムを貼付ける工程と、レーザ光を受光面電極のパターンに従ってフィルムの表面に照射し、電極埋込用の開口部形成とともに開口部周辺部に第2の導電型の拡散層を形成する工程と、レーザ光により形成された開口部の表面に金属ペーストを塗布する工程と、フィルムを剥して電極を焼成する工程、を有することを特徴とする太陽電池の製造方法。