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J-GLOBAL ID：200903038420749824

半導体装置

Inventor： 岩瀬 政雄
Applicant, Patent owner： 株式会社東芝
Agent (1)： 木村 高久
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1992347849
Publication number (International publication number)：1994204456
Application date： Dec. 28, 1992
Publication date： Jul. 22, 1994
Summary：

【要約】【目的】 本発明は、微細化に際しても短チャネル効果を抑制することができ、高速性能を発揮することのできる半導体装置を提供することを目的とする。【構成】 本発明では、ソース・ドレイン電極19a,19bをゲート絶縁膜13とゲート電極14との界面よりも上方に形成するとともに、このソース・ドレイン拡散層内に溝を形成し、この溝に金属膜26を形成するようにしている。

Claim (excerpt)：

第1の導電型の半導体基板表面に形成された第2の導電型のソース・ドレイン領域と、前記半導体基板上にゲート絶縁膜を介して形成されたゲート電極とを含み、前記ソース・ドレイン領域上に、それぞれソース・ドレイン電極が形成され該ソース・ドレイン電極に溝が、その底部が前記ソース・ドレイン領域とゲート絶縁膜との界面またはそれより上方に位置するように形成され、この溝内に電極が形成されてなることを特徴とする半導体装置。

IPC (3)：

H01L 29/46 ,  H01L 21/28 301 ,  H01L 21/90

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (4)

• 特開平2-304919
  
• 特開平2-028956
  
• 特開平2-304919
  
• 特開平2-028956