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J-GLOBAL ID：200903038433713462

表示装置

Inventor： 井上 俊輔 ,  渡辺 高典 ,  光地 哲伸 ,  宮脇 守
Applicant, Patent owner： キヤノン株式会社
Agent (1)： 丸島 儀一
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1994137319
Publication number (International publication number)：1996006071
Application date： Jun. 20, 1994
Publication date： Jan. 12, 1996
Summary：

【要約】【目的】 キャリア移動度が十分高く、電流の立ち上がり特性の良好なp-SiTFTを用いて、高画素、高精細な画像表示が可能な表示装置を提供すること。【構成】 アクティブマトリクス基板は、水素の拡散を抑制する第一の膜と、水素を前記多結晶シリコンに供給する第二の膜とを有し、前記第一の膜と前記第二の膜とが、多結晶シリコンを挟む上下の位置に配されていることを特徴とする表示装置。【効果】 極めて高精細な液晶画像表示が可能、また、ソースドレイン間のリーク電流が小さいために、画素電極の電荷の保持時間が長く、コントラスト比に優れた表示画像が得られる。

Claim (excerpt)：

複数の信号線と複数の走査線の交点に対応して多結晶シリコンを半導体層に用いた薄膜トランジスタを配して構成したアクティブマトリクス基板と、該アクティブマトリクス基板に対向する対向基板と、の間に液晶を挟持してなる液晶を用いた表示装置において、前記アクティブマトリクス基板は、水素の拡散を抑制する第一の膜と、水素を前記多結晶シリコンに供給する第二の膜とを有し、前記第一の膜と前記第二の膜とが、前記多結晶シリコンを挟む上下の位置に配されていることを特徴とする表示装置。

IPC (3)：

G02F 1/136 500 ,  G02F 1/1333 505 ,  H01L 29/786

FI (2)：

H01L 29/78 311 X ,  H01L 29/78 311 N

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (3)

• 特開平4-299317
  
• 特開平3-293719
  
• 特開平4-298722