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J-GLOBAL ID：200903038437023991

プラズマ処理方法

Inventor： 古川 良太 ,  是永 哲雄
Applicant, Patent owner： 松下電器産業株式会社
Agent (1)： 岩橋 文雄 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2002055619
Publication number (International publication number)：2003257921
Application date： Mar. 01, 2002
Publication date： Sep. 12, 2003
Summary：

【要約】【課題】 樹脂基板の表面改質を目的とするプラズマ処理において、基板への損傷を防止しつつプラズマ処理を効率よく行うことができるプラズマ処理方法を提供することを目的とする。【解決手段】 真空チャンバ内のプラズマ処理空間に樹脂基板を載置して表面改質を行うプラズマ処理方法において、高周波電源部の出力およびプラズマ発生用ガスの処理圧力とを制御して、プラズマ処理空間に発生した荷電粒子による樹脂基板表面に対するスパッタリング効果が許容上限を超えないようにするとともに、プラズマ処理空間に発生した活性物質の化学作用によって樹脂基板の表面改質を行う。これにより、樹脂基板表面のスパッタリングによる損傷を防止するとともに、プラズマ処理空間に発生した活性物質の化学作用によって樹脂基板の表面改質を行うことができる。

Claim (excerpt)：

真空チャンバと、この真空チャンバ内に相対向して配置された1対の電極と、これらの電極の間のプラズマ処理空間に配設され処理対象の基板が載置される基板載置部と、前記電極に高周波電圧を印加する高周波電源部と、この高周波電源部を制御する電源制御部と、前記真空チャンバ内を真空排気する真空排気部と、前記真空チャンバ内に反応性ガスを含むプラズマ発生用ガスを供給するガス供給部とを備えたプラズマ処理装置によって樹脂基板の表面改質を行うプラズマ処理方法であって、前記高周波電源部の出力および前記プラズマ処理空間におけるプラズマ発生用ガスの処理圧力とを制御することにより、前記電極間のプラズマ放電によって前記プラズマ処理空間に発生した荷電粒子による樹脂基板表面に対するスパッタリング効果が許容上限を超えないようにして樹脂基板表面のスパッタリングによる損傷を防止するとともに、前記プラズマ処理空間に発生した活性物質の化学作用によって樹脂基板の表面改質を行うことを特徴とするプラズマ処理方法。

IPC (6)：

H01L 21/304 645 ,  C08J 7/00 306 ,  C08J 7/00 CER ,  C08J 7/00 CEZ ,  H05H 1/46 ,  C08L101:00

FI (6)：

H01L 21/304 645 C ,  C08J 7/00 306 ,  C08J 7/00 CER ,  C08J 7/00 CEZ ,  H05H 1/46 M ,  C08L101:00

F-Term (12)：

4F073AA01 ,  4F073AA06 ,  4F073AA32 ,  4F073BA00 ,  4F073BB01 ,  4F073CA01 ,  4F073CA04 ,  4F073CA05 ,  4F073CA62 ,  4F073DA02 ,  4F073DA03 ,  4F073DA04

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (3)

• プラズマ処理方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2000-073829   Applicant：松下電器産業株式会社
• レジストの除去方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平10-200965   Applicant：株式会社東芝
• プラズマ処理方法及び装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平8-001196   Applicant：日新電機株式会社