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J-GLOBAL ID：200903038453385097

ポジ型フオトレジスト組成物

Inventor： 大背戸 浩樹 ,  片岡 陸雄
Applicant, Patent owner： 東レ株式会社
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1991231719
Publication number (International publication number)：1993072728
Application date： Sep. 11, 1991
Publication date： Mar. 26, 1993
Summary：

【要約】【構成】ノボラック樹脂、キノンジアジド化合物、及び特定のフェノール化合物を含有することを特徴とするポジ型フォトレジスト組成物。【効果】本発明のポジ型フォトレジスト組成物は、特定のフェノール化合物を含有するという新規組成を採用することにより、解像度、感度および、耐熱性が従来のポジ型フォトレジスト組成物より優れたものになる。したがって、本発明により、高集積度の集積回路用レジストとして好適なポジ型フォトレジスト組成物を容易に得ることができる。

Claim (excerpt)：

ノボラック樹脂、キノンジアジド化合物、及び一般式(I)〜(VI)で表わされるフェノール化合物のうち少なくとも一つを含有することを特徴とするポジ型フォトレジスト組成物。【化1】(式中、R1 〜R4 は水素原子、アルキル基、アルコキシ基またはハロゲン原子であり、mとnの和は5または6である。)【化2】(式中、R1 〜R5 は、水素原子、ハロゲン原子、水酸基、炭素数1〜4のアルキル基、アルケニル基、アルコキシ基または次式(1)で示される基であり、うち少なくとも一つは次式(1)で示される基である。【化3】ここでR6 は、水素原子、ハロゲン原子、アルキル基またはアルケニル基であり、nは0〜2である。Aは以下の基のいずれかを示す。-S-,-O-,-CO-,-COO--SO-,-SO2 -,-CR7 R8 -ここでR7 、R8 は、水素原子、アルキル基、アルケニル基またはフェニル基である。)【化4】(式中、R1 〜R4 は、水素原子、ハロゲン原子、水酸基、炭素数1〜4のアルキル基、アルケニル基、アルコキシ基または次式(2)で示される基であり、うち少なくとも一つは次式(2)で示される基である。【化5】ここでR5 、R6 は、水素原子、ハロゲン原子、アルキル基またはアルケニル基であり、nは0〜2である。)【化6】(式中、R1 〜R6 は、水素原子、ハロゲン原子、水酸基、炭素数1〜4のアルキル基、またはアルケニル基であり、R7 、R8 は、水素原子、ハロゲン原子または炭素数1〜4のアルキル基であり、R9 〜R11は、水素原子または炭素数1〜4のアルキル基である。)【化7】(式中、R1 〜R4 は、水素原子、ハロゲン原子、水酸基、炭素数1〜4のアルキル基、またはアルケニル基であり、R5 、R6 は、水素原子、ハロゲン原子または炭素数1〜4のアルキル基であり、R7 〜R10は、水素原子または炭素数1〜4のアルキル基である。)【化8】(式中、R1 〜R6 は、水素原子、ハロゲン原子、水酸基、炭素数1〜4のアルキル基、またはアルケニル基であり、R7 、R8 は、水素原子、ハロゲン原子または炭素数1〜4のアルキル基であり、R9 〜R14は、水素原子または炭素数1〜6のアルキル基である。)

IPC (3)：

G03F 7/022 ,  G03F 7/004 501 ,  H01L 21/027