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J-GLOBAL ID：200903038482888740

半導体装置の製造方法

Inventor： 近藤 英一 ,  竹安 伸行 ,  太田 与洋 ,  河野 有美子 ,  貝塚 健志 ,  陣内 新平
Applicant, Patent owner： 川崎製鉄株式会社 ,  東京エレクトロン株式会社
Agent (1)： 杉村 暁秀 (外4名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1996044578
Publication number (International publication number)：1996298288
Application date： Mar. 01, 1996
Publication date： Nov. 12, 1996
Summary：

【要約】【課題】 微細なコンタクト孔内にアルミニウムを良好に埋め込むことができる半導体装置の製造方法を提供する。【解決手段】 半導体基板(1) 上の絶縁膜(3) にコンタクト孔(3a)を形成し、全面に下地金属膜(4) を形成する。次に、下地金属膜表面を水素を含むプラズマで処理し、その状態を調整する。この水素プラズマ処理により、下地金属膜(4) の表面が水素化されると共にスパッタエッチングされ、表面に形成された変質層や表面に付着した汚染物が除去され、下地金属膜の表面を清浄にすることができる。次にDMAHのような有機アルミニウム化合物を用いて化学気相堆積法により下地金属膜上にアルミニウムを堆積させる。このように構成することにより、化学気相堆積法を有効に利用でき、微細なコンタクト孔内にアルミニウムを良好に堆積させることができる。

Claim (excerpt)：

半導体基板上に、配線要素がその中に形成されるべき凹部を有する絶縁膜が形成され、前記絶縁膜の凹部内周面上および表面上に高融点金属を含む下地金属膜が形成された基板上に、配線用金属を堆積するに当たり、前記下地金属膜表面の状態を水素プラズマを用いて調整する工程と、化学気相堆積法により、少なくとも前記凹部内周面上の下地金属膜上に、配線用金属を堆積させる工程とを具えることを特徴とする半導体装置の製造方法。

IPC (6)：

H01L 21/768 ,  H01L 21/203 ,  H01L 21/28 301 ,  H01L 21/28 ,  H01L 21/285 ,  H01L 21/3065

FI (6)：

H01L 21/90 C ,  H01L 21/203 S ,  H01L 21/28 301 R ,  H01L 21/28 301 L ,  H01L 21/285 C ,  H01L 21/302 L

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (2)

• 半導体装置およびその形成方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平7-168329   Applicant：三星電子株式会社
• 接続孔への配線形成方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平4-261264   Applicant：ソニー株式会社