Pat

J-GLOBAL ID：200903038506812189

熱電材料及びその製造方法

Inventor： 劉 華 南 ,  上野 英俊 ,  坂本 満 ,  佐藤 富雄
Applicant, Patent owner： 独立行政法人産業技術総合研究所
Agent (2)： 富崎 元成 ,  円城寺 貞夫
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2004311740
Publication number (International publication number)：2006128235
Application date： Oct. 27, 2004
Publication date： May. 18, 2006
Summary：

【課題】 大気圧下での溶融法と放電プラズマ焼結法に着目し、製造工程の安全性の向上及び製造コストの削減を図ることができるとともに、性能指数の優れたMg2Si基熱電半導体から成る熱電材料及びその製造方法を提供する。 【解決手段】 大気側に緩衝キャビティ6を有する黒鉛容器1の溶解室7内に、塊状のMg及びSiを収容するとともに、ドーパント元素としてAl及びZnを複合添加し、緩衝キャビティ6内に不活性ガスを置換した状態で、Mg2Si化合物の融点以上でMgの沸点以下の温度範囲に一定時間保持することにより化合物融液若しくは合金融液を生成させ、その融液を冷却してインゴットを作製し、インゴットを粉砕して作製したMg2Si原料粉末を放電プラズマ焼結法を用いて焼結する。【選択図】図1

Claim (excerpt)：

Mg-Si基化合物に、ドーパント元素としてAl及びZnを添加することにより形成されたN型熱電半導体からなることを特徴とする熱電材料。

IPC (5)：

H01L 35/14 ,  B22F 3/105 ,  B22F 9/04 ,  C22C 23/00 ,  H01L 35/34

FI (5)：

H01L35/14 ,  B22F3/105 ,  B22F9/04 C ,  C22C23/00 ,  H01L35/34

F-Term (10)：

4K017AA04 ,  4K017BA10 ,  4K017BB01 ,  4K017BB16 ,  4K017BB18 ,  4K017DA01 ,  4K017EA03 ,  4K018AA13 ,  4K018DA21 ,  4K018KA32

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (1)

• Mg-Si系熱電材料及びその製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2001-091091   Applicant：大同特殊鋼株式会社

Cited by examiner (2)

• 熱電気の活性材料およびこれを含んだ熱変換器
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2000-350498   Applicant：ビーエーエスエフアクチェンゲゼルシャフト
• Mg-Si系熱電材料及びその製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2001-091091   Applicant：大同特殊鋼株式会社